雷電沖擊發(fā)生器試驗環(huán)境

雷電沖擊試驗的測試環(huán)境。使用帶有外部SMPS 適配器的LCD TV作為EUT 。雷電沖擊發(fā)生器是一個能產(chǎn)生特定波形的理想電壓源，它有一個固定的輸出阻抗。交流電源通過隔離變壓器對SMPS 適配器供電，對于差模沖擊試驗，沖擊電壓施加在SMPS 適配器的交流電源線之間，而對于共模沖擊試驗，則施加在一條交流電源線和機頂盒調(diào)諧器的輸入插座上的地連接之間。在每個電壓步長(2kV-16kV)和每種極性上，分別進行5次試驗。

 

雷電沖擊發(fā)生器的設計考慮

PCB的主要地線設計。IC引腳是否會檢測到噪聲信號，與PCB 的設計密切相關(guān)。因此PCB 設計的方針就是將I2 和I3分流到不會被IC 檢測到的其它路徑上。建議對下列地線使用“星形”連接，它們是小信號IC 地線；大電流CS 地線；輸入橋式整流器地線；MOSFET 散熱器地線；Y 電容地線(如果Y 電容被連接在變壓器初級線圈地線和次級線圈地線之間) ；變壓器輔助繞組地線。

在某些情況下，由于在正常工作時，信噪比太低，因此輔助繞組的地線必須直接連接到IC的地引腳，這樣I3在雷擊時不可避免地會影響IC 管腳。在這種情況下，一種提高對雷電噪聲抵抗能力的方法就是將與輔助繞組的地相連的PCB 引線設計得盡可能粗以得到較低的阻抗Z。

初級線圈GND 和次級線圈GND 之間的Y 電容。電容C4的作用是旁路EMI 噪聲。除了連到初級線圈的地之外，有時也能將C4連到儲能電容的正極來達到旁通EMI 噪聲的目的。

這樣做將雷電沖擊電流I2分流到儲能電容的正極，不會再對IC 地電平產(chǎn)生影響。但是，如果出于其它的考慮而不能實現(xiàn)，那么C4就只能被連到初級線圈的地端，因此就必須使用上星形連接。

變壓器隔離和屏蔽。I3電流的大小由變壓器的隔離電壓決定。如果變壓器的隔離電壓低于雷擊電壓，則會在初級線圈和次級線圈之間發(fā)生瞬時擊穿，并且會產(chǎn)生很大的沖擊電流。除此之外，很大的沖擊電流還會對IC 造成干擾，次級整流器的二極管也會在瞬時擊穿時承受很高的電壓應力，甚至被毀壞。因此，建議使變壓器的隔離電壓高于雷電沖擊試驗電壓。